Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
S30ML128P | 128Мбит (8М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.128 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND08GW3D2A | 8Гбит 3-вольтовая, 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFG1G16U2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30ML128P | 128Мбит (16М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.128 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
KFM1G16Q2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30ML256P | 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND16GW3B4D | 16Гбит (4 кристалла по 4Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9MCG08U5M | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
32 | 8 | 2048 | 256 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND08GW3B4C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND08GR3B4C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |