Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
HY27UH08AG5M 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
16 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 45 0 ... 70 TSOPI-48
NAND64GW3D4A 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
64 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
NAND128W3A 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019