Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
K9F1208R0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 42 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFM1216Q2A | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND512R4A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
KFG1216U2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
NAND512R3A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30MS512R | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S30MS01GP | 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS01GP | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
MT29F1G08ABB | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16Q2A | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16Q2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16U2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFM1G16Q2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
KFM1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |