Компоненты группы NAND Flash
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| HY27SS08561A | 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 60 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| NAND512R3A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| S30MS512R | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R |
|
Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
