Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
VBGA-100 |
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
MT29H8G08 | 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
VBGA-100 |