Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
|
HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
VBGA-100 |
|
NAND04GW3B2D | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
HY27UF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 ULGA-52 |
|
MT29H8G08 | 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
VBGA-100 |
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
K9NBG08U5A | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
32 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
NAND08GW3B2A | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
K9WAG08U1A | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
1 | 64 | 2048 | 128 | 25 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
TC58NVG1S3CBAJX | 256М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9KAG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 256 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |