Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
TC58NVG1S3CTA00 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
NAND01GR3B2B 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 2048 128 50 - - 1.7 ... 1.95 15 -40 ... 85 FBGA-63
HY27UH08AG5M 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
16 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 45 0 ... 70 TSOPI-48
NAND64GW3D4A 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
64 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
NAND128W3A 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
1 64 2048 128 25 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
HY27UF164G2B 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
KFG1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019