Компоненты группы NOR Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Мбит)
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Мбит
Организация VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                       
S26KS512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
512 64 32 1.7 ... 1.95 80 -40 ... 125 FBGA-24
S26KL512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
512 64 32 2.7 ... 3.6 80 -40 ... 125 FBGA-24
M29W256GH 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 Numonyx NOR Flash
- 16384 16 2.7 ... 3.6 - -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
S26KS256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
256 32 16 1.7 ... 1.95 80 -40 ... 125 FBGA-24
S26KL256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
256 32 16 2.7 ... 3.6 80 -40 ... 125 FBGA-24
M29DW128G 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
- 8192 16 2.7 ... 3.6 - -40 ... 85 TBGA-64
TSOP-56
M29W256GL 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 Numonyx NOR Flash
- 16384 16 2.7 ... 3.6 - -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
S26KS128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
128 16 8 1.7 ... 1.95 80 -40 ... 125 FBGA-24
S26KL128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
128 16 8 2.7 ... 3.6 80 -40 ... 125 FBGA-24
5576РС1У ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС Миландр NOR Flash
4 512 8 3 ... 3.6 50 -60 ... 125 Н09.28-1В
1645РТ2У Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит Миландр NOR Flash
0.25 32 8 3 ... 3.6 50 -60 ... 125 5134.64-6
1645РТ3У Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 Миландр NOR Flash
2 256 8 3 ... 5.5 100 -60 ... 125 5134.64-6
1636РР3У 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
4 512 8 3 ... 3.6 40 -60 ... 125 Н14.42-1В
1636РР5У 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
1 128 8 4.5 ... 5.5 2 -60 ... 125 Н14.42-1В
1636РР4У 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
16 2048 8 3 ... 3.6 50 -60 ... 125 Н16.48-1В
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
16 2048 8 3 ... 3.6 50 -60 ... 125 Н16.48-1В
1636РР1АУ 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
4 512 8 3 ... 3.6 40 -60 ... 125 Н14.42-1В
A29010 128K x 8 бит, 5-вольтовая FLASH память, унифицированные сектора AMIC Technology NOR Flash
1 128 8 4.5 ... 5.5 20 -40 ... 85 DIP-32
PLCC-32
TSOP-32
M29W128GL 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
- 16384 8 2.7 ... 3.6 - -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
M29W128GH 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
- 16384 8 2.7 ... 3.6 - -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
Страницы: 1 2 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019