Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н16.48-1В
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TLGA-52
TSOPI-48
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
S26KL512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
AT45DB161E 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UBGA-9
UDFN-8
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M25PX16 16Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O Numonyx Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-8
TBGA-24
VFQFPN-8
HY27SF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 - TSOPI-48
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
1636РР1АУ 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н14.42-1В
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 - SOP-16
WSON-8
AT45DB161D 2.5 В или 2.7 В, 16 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 - BGA-24
SOIC-8
VDFN-8
TSOP-28
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
M25P128 128Мб, 50МГц низкопотребляющая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-16-Wide
VDFPN-8
HY27UF161G2A 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
N25Q128A13 3В, 128 Мб SPI-Flash память Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-16
TBGA-24
VDFPN-8
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019