Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
1645РТ3У Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 Миландр NOR Flash
256 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 - 5134.64-6
AT45DB021B 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation DataFlash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-28
SOIC-8
CBGA 9 (3x3)
TSOP28
NAND01GW3B2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M25P16 16 Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - DIP-8
SOIC-16-Wide
SOIC-8
VDFPN-8
VFQFPN-8
HY27US08122B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -30 ... 85 - FBGA-63
1636РР3У 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н14.42-1В
AT26F004 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 4 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VDFN-8
NAND01GR3B2B 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - FBGA-63
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - TSOPI-48
HY27US16121B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFK8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
TC58NVG1S3CBAJX 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.4 ... 2.9 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.4 ... 2.9 -30 ... 85 - FBGA-63
AT45DB041E 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® Adesto Technologies DataFlash
- 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UBGA-9
UDFN-8
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019