Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
AFT09H310-03S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230S-4S
MRF8S7170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
618 803 28 52.6 50 19.5 37 Да OM-780-2L
MRF6P24190H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2400 2500 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230
MHT1001HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230H-4S
MRF8P9210NR3 Радиочастотный силовой LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.9 63 16.7 47.4 Да OM-780-4
AFT09S200W02GN Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 53 56 19.2 36.5 Да OM-780G-2L
AFV09P350-04GNR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780G-4L
AFV09P350-04NR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780-4L
AFT09S200W02N Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 53 56 19.2 36.5 Да OM-780-2L
MRF8S9202GNR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2GULL
MRF8S9202NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2
MRF8S9200NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19.9 37.1 Да OM-780-2
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
AFT18H357-24NR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 53 63 17.5 48.7 Да OM-1230-4L2L
AFT21S220W02GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.2 50 19.1 29.3 Да NI-780GS-2L
AFT21S220W02SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.2 50 19.1 29.3 Да NI-780S-2L
AFT18S230SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 53.2 50 19 32 Да NI-780S-6
MRF8S18210WGHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 30 53.2 50 17.8 29.2 Да NI-880XS-2GULL
AFT23H200-4S2LR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 53.2 45 15.3 42.8 Да NI-1230-4LS2L
MRF8S18210WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 30 53.2 50 17.8 29.2 Да NI-880XS-2




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019