Главная > Документация > Дискретные компоненты > Силовые модули

Компоненты группы MOSFET модули

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_DS (В)
I_D (А)
R_DS(ON) (макс.) (Ом)
Q_G (тип.) (нКл)
t_r (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
V_ISO (В)
T_J (°C)	От до
Корпус

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_DS В	I_D А	R_DS(ON) (макс.) Ом	Q_G (тип.) нКл	t_r (тип.) нс	t_f (тип.) нс	V_ISO В	T_J °C	Корпус

VMK90-02T2	2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток		IXYS	MOSFET модули	200	83	0.025	380	80	100	3000	-40 ... 150	TO-240AA
VMK165-007T	2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток		IXYS	MOSFET модули	70	165	0.007	480	280	110	3000	-40 ... 150	TO-240AA
IXFN64N50PD3	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	50	0.085	150	25	22	3000	-55 ... 150	SOT-227 B
IXFN64N50PD2	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	50	0.085	150	25	22	3000	-55 ... 150	SOT-227 B
IXFN48N50U3	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	48	0.1	270	60	30	3000	-40 ... 150	SOT-227 B
IXFN48N50U2	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	48	0.1	270	60	30	3000	-40 ... 150	SOT-227 B
IXFN44N50U3	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	44	0.12	270	60	30	3000	-40 ... 150	SOT-227 B
IXFN44N50U2	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	44	0.12	270	60	30	3000	-40 ... 150	SOT-227 B
IXFE48N50QD3	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	41	0.011	190	22	10	3000	-40 ... 150	ISOPLUS-227
IXFE48N50QD2	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	41	0.011	190	22	10	3000	-40 ... 150	ISOPLUS-227
IXFE44N50QD3	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	39	0.012	190	22	10	3000	-40 ... 150	ISOPLUS-227
IXFE44N50QD2	Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	500	39	0.012	190	22	10	3000	-40 ... 150	ISOPLUS-227
VBH40-05B	Силовой MOSFET модуль 500 В со встроенным быстровосстанавливающимся обратным диодом и мостовым выпрямителем однофазной сети		IXYS	MOSFET модули	500	40	116	270	100	80	3000	-40 ... 150	V2-PAK
IXFN100N10S3	Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация		IXYS	MOSFET модули	100	100	0.015	180	70	30	3000	-40 ... 150	SOT-227 B
VKM60-01P1	Силовой MOSFET модуль 100 В, 75 А, топология H-Bridge, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод		IXYS	MOSFET модули	100	75	25	180	60	60	3600	-40 ... 150	ECO-PAC 2
VMO1600-02P	N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина		IXYS	MOSFET модули	200	1600	0.0017	2900	1220	700	3600	-40 ... 150	Y3-Li
VMO580-02F	N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина		IXYS	MOSFET модули	200	580	0.0038	2750	500	350	3600	-40 ... 150	Y3-Li
VMO1200-01F	N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина		IXYS	MOSFET модули	100	1220	0.00125	1710	1620	1020	3600	-40 ... 150	Y3-Li
VMM90-09F	N-канальный силовой MOSFET модуль 900В, 85А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод		IXYS	MOSFET модули	900	85	0.076	960	180	140	3600	-40 ... 150	Y3-Li
VMM300-03F	N-канальный силовой MOSFET модуль 300В, 290А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод		IXYS	MOSFET модули	300	290	0.0086	1440	400	150	3600	-40 ... 150	Y3-DCB

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск