Компоненты группы Последовательные ИОН

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VOUT (В)
Погрешность (макс.) (%)
ТК (ppm/°C)
VIN (В) От до
IQ (тип.) (мкА)
IO (макс.) (мА)
Шум (0.1...10Гц) (мкВП-П)
Шум (10Гц...10кГц) (мкВ)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 42 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VOUT
В
Погрешность (макс.)
%
ТК
ppm/°C
VIN
В
IQ (тип.)
мкА
IO (макс.)
мА
Шум (0.1...10Гц)
мкВП-П
Шум (10Гц...10кГц)
мкВ
TA
°C
Корпус
                             
LT1027CCS8-5 Прецизионные источники опорного напряжения Linear Technology Последовательные ИОН
5 0.05 3 2.5 ... 10 2200 15 3 - 0 ... 70 SOIC-8
ADR444B LDO XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
4.096 0.04 3 4.6 ... 18 3000 10 1.8 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
LT1027CCN8-5 Прецизионные источники опорного напряжения Linear Technology Последовательные ИОН
5 0.05 3 2.5 ... 10 2200 15 3 - 0 ... 70 DIP-8
REF5040I Малошумящие, со сверхмалым дрейфом, прецизионные источники опорного напряжения Texas Instruments Последовательные ИОН
4.096 0.05 3 4.296 ... 18 1000 10 12 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR443B LDO XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
3 0.04 3 3 ... 18 3000 10 1.4 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
REF5045I Малошумящие, со сверхмалым дрейфом, прецизионные источники опорного напряжения Texas Instruments Последовательные ИОН
4.5 0.05 3 4.7 ... 18 1000 10 13.5 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR01BR Ультракомпактные, прецизионные источники опорного напряжения Analog Devices Последовательные ИОН
10 0.05 3 12 ... 36 1000 10 20 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR441B LDO XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
2.5 0.04 3 3 ... 18 3000 10 1.2 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
REF5020I Малошумящие, со сверхмалым дрейфом, прецизионные источники опорного напряжения Texas Instruments Последовательные ИОН
2.048 0.05 3 2.7 ... 18 1000 10 6 - -40 ... 125 SOIC-8
MAX6250AE Прецизионные источники опорного напряжения, низкий уровень шума Maxim Integrated Последовательные ИОН
5 0.02 3 8 ... 36 3300 15 3 - -40 ... 85 DIP-8
SOIC-8
LT1461AIS8-3.3 Микромощные прецизионные источники опорного напряжения Linear Technology Последовательные ИОН
3.3 0.04 3 2.75 ... 20 35 100 8 - -40 ... 85 SOIC-8
LT1461ACS8-3.3 Микромощные прецизионные источники опорного напряжения Linear Technology Последовательные ИОН
3.3 0.04 3 2.75 ... 20 35 100 8 - 0 ... 70 SOIC-8
ADR439B XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
4.5 0.04 3 6.5 ... 18 800 30 7.5 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
ADR440B LDO XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
2.048 0.05 3 3 ... 18 3000 10 1 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
REF5025I Малошумящие, со сверхмалым дрейфом, прецизионные источники опорного напряжения Texas Instruments Последовательные ИОН
2.5 0.05 3 2.7 ... 18 1000 10 7.5 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR435B XFET источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шума Analog Devices Последовательные ИОН
5 0.04 3 7 ... 18 800 30 8 - -40 ... 125 MSOP-8
SOIC-8
MAX6143A10 Высокопрецизионные источники опорного напряжения с датчиком температуры Maxim Integrated Последовательные ИОН
10 0.05 3 12 ... 40 600 60 18 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR4550A Высокоточные источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шумов Analog Devices Последовательные ИОН
5 0.04 4 3 ... 15 950 10 2.8 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR4540A Высокоточные источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шумов Analog Devices Последовательные ИОН
4.096 0.04 4 3 ... 15 950 10 2.7 - -40 ... 125 SOIC-8
ADR4533A Высокоточные источники опорного напряжения, сверхнизкий уровень шумов Analog Devices Последовательные ИОН
3.3 0.04 4 3 ... 15 950 10 2.1 - -40 ... 125 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 42 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019