Компоненты группы N+P
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
Channel P | VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | ||||
ID А |
RDS(ON) 10 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
||||||||||||||||
FDC6321C | Dual N & P Channel, Digital FET | Fairchild Semiconductor |
N+P |
N, P | 2 | -1 | - | 1220 | 870 | 25 | - | - | 440 | 330 | - | 1 | 0.9 |
SSOT-6 |
|
FDS4559 | 60V Complementary PowerTrench® MOSFET | Fairchild Semiconductor |
N+P |
N, P | 2 | -3.5 | 105 | - | 135 | 60 | - | - | - | 75 | 55 | 4.5 | 2 |
SOIC-8 |
|
FDC6333C | 30V N & P-Channel PowerTrench® MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
N+P |
N, P | 2 | -8 | 106 | - | 142 | 30 | - | - | - | 90 | 73 | 8 | 0.96 |
SSOT-6 |
|
Si1016X | Complementary N- and P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET N+P |
N+P | 2 | - | - | - | - | 20 | - | - | - | - | - | - | 0.25 |
SC89-6 |
|
STS8C5H30L | N-channel 30V - 0.018 ? - 8A/p-channel 30V - 0.045 ? - 5A - SO-8 Low gate charge STripFET™ III MOSFET | STMicroelectronics |
N+P |
N | 1 | - | - | - | - | 30 | - | - | - | 20 | 18 | 8 | 1.6 |
SOIC-8 |
|
Si4500BDY | Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) | Vishay |
MOSFET N+P |
N+P | 2 | - | - | - | - | 20 | - | - | 24 | 16 | - | 3.8 | 1.3 |
SOIC-8 |