Компоненты группы High Speed SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
IS64LV6416L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 115 | 500 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS61LF204818A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 6.5 | 375 | 145 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
IS64LF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 6.5 | 190 | 900 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
IS61NVF51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 6.5 | 300 | 800 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS62WV2568ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 70 | 15 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS61LPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61QDB44M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) | ISSI |
High Speed SRAM |
4096 | 18 | 3.3 | 850 | 400 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
IS61C25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 12 | 50 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
IS61LP6436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 36 | 6 | 200 | 400 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61NLP12832B | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх32 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 32 | 2.6 | 250 | 750 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
|
IS64LPS25636A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 3.5 | 300 | 130 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
IS61NVP102418 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS62WV51216BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 45 | 40 | 25 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VF25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 6.5 | 350 | 125 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS63LV1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 8 | 170 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS64VPS12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 2.6 | 225 | 900 | 2.175 ... 2.625 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
IS61NVF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 6.5 | 180 | 750 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|