Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IS64LV6416L Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 10 115 500 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS61LF204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
2048 18 6.5 375 145 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
IS64WV5128BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 8 25 200 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-36
SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
IS64LF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 6.5 190 900 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
IS61NVF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
512 18 6.5 300 800 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS62WV2568ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 ISSI High Speed SRAM
256 8 70 15 10 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-36
STSOP-32
TSOPI-32
IS61LPS102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.6 500 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61QDB44M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI High Speed SRAM
4096 18 3.3 850 400 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61C25616AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 12 50 300 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
IS61LP6436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 ISSI High Speed SRAM
64 36 6 200 400 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
IS61NLP12832B Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх32 ISSI High Speed SRAM
128 32 2.6 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS64WV102416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 10 140 600 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
IS64LPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 3.5 300 130 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
IS61NVP102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.6 500 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
IS62WV51216BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 45 40 25 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS61VF25672A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
256 72 6.5 350 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-119
PBGA-165
IS63LV1024 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 ISSI High Speed SRAM
128 8 8 170 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-36
SOJ-32
STSOP-32
TSOPI-32
IS64VPS12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 2.6 225 900 2.175 ... 2.625 -40 ... 125 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61NVF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 6.5 180 750 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
K6R4004C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
1024 4 10 75 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019