Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы High Speed SRAM
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс		 Ток потребления VCC
В		 TA
°C		 Корпус
Слов
K		 Разрядов
бит		 ICC
мА		 ICC Shutdown
мкА
                         
IS61NLF25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
 256 36 6.5 300 800 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61NVP25672 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
 256 72 2.6 650 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
IS61LPS12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
 128 36 4 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61LPD25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
 256 36 2.6 300 105 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61LF12832A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх32 ISSI High Speed SRAM
 128 32 6.5 180 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS64LPS25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
 256 18 2.6 275 900 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61LF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
 512 18 6.5 190 850 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61VF204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
 2048 18 6.5 375 145 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
IS61VPD102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
 1024 18 2.6 500 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
IS61VF102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
 1024 18 6.5 275 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61NLP12832B Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх32 ISSI High Speed SRAM
 128 32 2.6 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61VF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
 256 18 6.5 180 750 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61LF25672A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
 256 72 6.5 350 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-119
PBGA-165
IS61NVF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
 256 18 6.5 180 750 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61LPS204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
 2048 18 3.5 475 140 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
IS61NVF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
 512 18 6.5 300 800 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IDT71256S Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
 32 8 20 150 20 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
IDT71256L Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
 32 8 20 135 0.6 4.5 ... 5.5 -40 ... 5.585 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
AS7C256B Асинхронная статическая память 32Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
 32 8 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-28
SOJ-28 (300mil)
TSOP28
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники