Компоненты группы Low Power SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 70 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S16256G-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 2.3 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| W24258 | ИС статической памяти 32К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 35 | 70 | 0.5 | 2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY62157EV18 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 1.8 | 2 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0414D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62157ESL | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0416D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 70 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| LP62S16256F-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| R1LV0816ASD-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0416D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| LP62S16256F-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
| R1LV0816ASD-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5256D-55L | 256Кб SRAM (32К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 30 | - | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| LP621024D | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 2 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| W2465 | ИС статической памяти 8К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
