Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 45 | 65 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
R1WV6416-7S | 64 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
4096 | 16 | 70 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1WV6416-5S | 64 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
4096 | 16 | 55 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 70 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V216ATP-55H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV1010 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 55 | 45 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 | Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 55 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV2016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 62 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 65 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W24257Q | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 70 | 65 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
W24257S | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 70 | 65 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.5 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W2465 | ИС статической памяти 8К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
W24258-LL | Никопотребляющая ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
TSSOP-28 |
|
W24258 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 35 | 70 | 0.5 | 2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|