Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
CY62167DV30 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 45 | 2 | 2.5 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62126EV30 | Статическая память 64К х 16 | Cypress |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 45 | 1.3 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
LP62S4096E-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.5 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 70 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S16256G-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 2.3 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0414D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S16256G-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 2.3 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -10 ... 70 |
CSP-48 |
|
DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 | Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|