Компоненты группы Low Power SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
AS6C8016 Ультронизкопотребляющая статическая память 512К х 16 Alliance Memory Low Power SRAM
512 16 55 30 6 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
R1LV0816ASB-5SI 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
512 16 55 20 - 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
FBGA-48
IS62C51216AL Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI Low Power SRAM
512 16 55 45 65 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS62C51216AL Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI Low Power SRAM
512 16 45 40 40 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
AS6C4008 Низкопотребляющая статическая память 512К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
512 8 55 30 4 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TFBGA-36
TSOPI-32
HM6216514I-5SL 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 16 55 20 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPII-44
BS616LV8017 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 55 76 50 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
BS616LV8016 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 55 76 50 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
BS62LV4006 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 8 55 70 20 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-36
DIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
TSOPII-32
M5M5W816WG-85H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 85 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
M5M5W816WG-70H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 70 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
M5M5W816WG-55H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 55 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
M5M5W817KT-70HI 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 70 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
R1LP0408C-7L 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 8 70 1.5 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
LP62S4096E-I Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 AMIC Technology Low Power SRAM
512 8 55 5 0.3 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-36
TSOP-32
TSOPI-32
TSSOP-32
R1LP0408C-5S 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 8 55 1.5 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
R1LV0408D-7L 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 8 70 10 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
LP62S4096E-T Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 AMIC Technology Low Power SRAM
512 8 55 5 0.3 2.7 ... 3.6 -25 ... 85 CSP-36
TSOP-32
TSOPI-32
TSSOP-32
R1LV0408D-5S 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 8 55 10 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
BH616UV8011 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 55 12 15 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019