Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
R1LV0816ABG-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HM6216514I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV256 | Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 1 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62UV256 | Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 100 | 20 | 0.4 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
W24258 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 35 | 70 | 0.5 | 2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W24L257 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 0.7 | 2.7 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.5 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W2465 | ИС статической памяти 8К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV1611 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|