Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
AS6C8016 | Ультронизкопотребляющая статическая память 512К х 16 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 30 | 6 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ASB-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 45 | 65 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 40 | 40 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C4008 | Низкопотребляющая статическая память 512К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 30 | 4 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
HM6216514I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 85 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W816WG-70H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W816WG-55H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|