Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
AS6C1008 | Низкопотребляющая статическая память 128К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 1 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C2008 | Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 20 | 20 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C4008 | Низкопотребляющая статическая память 512К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 30 | 4 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V208AKV-55H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 28 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C1008L | Микропотребляющая статическая память 128К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 35 | 7 | 1 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V208AKV-70H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 70 | 28 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M51008D-55H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 39 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 55 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V108D-70H | 1 Mb SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 70 | 35 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62138FV30 | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) | Cypress |
SRAM Low Power SRAM |
256 | 8 | 45 | 1.6 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M51008D-70H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 70 | 34 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|