Компоненты группы Low Power SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62E16128A-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 70 | 25 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
| BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62167DV18 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 1.5 | 2.5 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP62S4096E-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.5 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
| BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| W24L257 | ИС статической памяти 32К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 0.7 | 2.7 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
| BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158E | Статическая память объемом 8Mb (1M x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.5 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62E16256E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 70 | 2 | 1.4 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
