Компоненты группы Low Power SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 70 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| R1LV1616R-7S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 70 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0816ABG-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| M5M5V208AKV-55H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 28 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| N01L83W2A | 1 Мбит сверхмалопотребляющая асинхронная SRAM 128К х 8 бит |
|
ON Semiconductor |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 9.5 | 2 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62C1024AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 35 | 30 | 10 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS65C1024AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 35 | 35 | 35 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 40 | 40 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 45 | 65 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS62C256AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 25 | 20 | 120 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS65C256AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 25 | 25 | 150 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62146EV30 | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 45 | 2 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY6264 | Статическая память 8K x 8 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 200 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
