Компоненты группы Low Power SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
M5M5W816WG-70H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 70 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
M5M5W816WG-55H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 55 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
M5M5W817KT-70HI 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 70 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
R1LP0408C-7L 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 8 70 1.5 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
LP62S4096E-I Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 AMIC Technology Low Power SRAM
512 8 55 5 0.3 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-36
TSOP-32
TSOPI-32
TSSOP-32
R1LP0408C-5S 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 8 55 1.5 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
R1LV0408D-7L 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 8 70 10 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
LP62S4096E-T Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 AMIC Technology Low Power SRAM
512 8 55 5 0.3 2.7 ... 3.6 -25 ... 85 CSP-36
TSOP-32
TSOPI-32
TSSOP-32
R1LV0408D-5S 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
512 8 55 10 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
BH616UV8011 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 55 12 15 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
CY62157EV30 Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) Cypress Low Power SRAM
512 16 45 1.8 2 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-44
VFBGA-48
BH616UV8010 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 55 12 15 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
CY62157EV18 Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) Cypress Low Power SRAM
512 16 55 1.8 2 1.65 ... 2.25 -40 ... 85 VFBGA-48
CY62157ESL Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) Cypress Low Power SRAM
512 16 45 1.8 2 2.2 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPII-44
R1LV0816ASD-7SI 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
512 16 70 20 - 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
BH62UV4000 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 8 55 10 10 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-36
DIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
CY62157E Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) Cypress Low Power SRAM
512 16 55 1.8 2 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 TSOPII-44
VFBGA-48
R1LV0816ASD-5SI 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
512 16 55 20 - 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
CY62147EV30 Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) Cypress Low Power SRAM
256 16 45 2 1 2.2 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPII-44
VFBGA-48
CY62147EV18 Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) Cypress Low Power SRAM
256 16 55 2 1 1.65 ... 2.25 -40 ... 85 VFBGA-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019