Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSZ014NE2LS5IF Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 25 - - - 2.1 1.45 40 69 TSDSON-8FL
BSZ023N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 40 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 3.2 2.35 40 69 SON-8
BSZ042N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 40 69 SON-8
BSZ0501NSI Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 2.5 2 40 50 TSDSON-8FL
BSZ0506NS Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 5.3 4.4 40 27 TSDSON-8FL
BSZ097N10NS5 MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 9.7 40 69 TSDSON-8
BSZ160N10NS3 Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 40 А, 16 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 16 40 63 SON-8
BSZ520N15NS3 Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 21 А, 52 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 150 - - - - 52 21 57 SON-8
BTF3050TE Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты Infineon Technologies MOSFET
N 1 5 - - - 100 - 3 - TO-252-5
BUK7Y13-40B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - 11 - 58 85 SOT-669
BUK9Y14-40B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - 12 - 56 85 SOT-669
BUK9Y19-55B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 16.3 - 46 85 SOT-669
BUK9Y30-75B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 75 - - - 25 - 34 85 SOT-669
BUK9Y3R0-40E N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56 NXP MOSFET
N 1 40 - - - 3 - 100 194 PowerSO-8
BUK9Y40-55B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 34 - 26 59 SOT-669
BUZ30AH3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 130 21 125 TO-263-3
BUZ31H3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 160 14.5 95 TO-263-3
BUZ32H3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 300 9.5 75 TO-263-3
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
CPC3710C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 10000 10000 10000 10000 10000 0.22 1.6 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019