Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFN300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 295 1070 SOT-227
IRFS3006-7PPbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 1.5 293 375 D2-PAK-7
FDMT80060DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 60 В, 292 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.1 292 156 PQFN 8x8
NVMFS5C604NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1.7 1.2 287 200 DFN-5
NTMFS5C604NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1.7 1.2 287 200 DFN-5
IRF2804S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 D2-PAK
IRF2804L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-262
IRF2804 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-220AB
IXFN280N085 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
N 1 85 - - - - 4.4 280 700 SOT-227
STV300NH02L N-channel 24V - 0.8m? - 280A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 0.8 280 300 PowerSO-10
IXFN280N085 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 280 700 SOT-227
IXFN280N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 70 5 5 5 5 5 280 600 SOT-227 B
IXTV280N055TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 280 550 PLUS220SMD
IXTV280N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 280 550 PLUS220
IXTQ280N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 280 550 TO-3P
IXTH280N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 280 550 TO-247
IRLSL3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 TO-262
IRLS3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 D2-PAK
IRLB3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 TO-220AB
IXTV270N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3 3 3 3 3 270 625 PLUS220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019