Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA15P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 240 240 240 240 240 -15 150 TO-263
IXTC36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 120 120 120 120 120 -22 150 ISOPLUS220
IXTH36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 110 110 110 110 110 -36 300 TO-247
IXTH44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-247
IXTQ44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-3P
IXTP44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-220
IXTA44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-263
IXTQ36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 110 110 110 110 110 -36 300 TO-3P
IXTP36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 110 110 110 110 110 -36 300 TO-220
IXTA36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 110 110 110 110 110 -36 300 TO-263
FQP15P12 120V P-Channel QFET® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -120 - - - - 200 -15 100 TO-220
FQPF15P12 120V P-Channel QFET® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -120 - - - - 200 -15 41 TO-220F
IXTR140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 16 16 16 16 16 -90 270 ISOPLUS247
IXTH76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-247
ZVP2110G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -100 - - - - 8000 -0.31 2 SOT-223-4
FDMC86139P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -100 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -100 - - - - 67 -15 40 MLP 3.3x3.3
IXTP76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-220
IXTT140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 14 14 14 14 14 -140 568 TO-268
IXTA76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-263
IXTH140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 14 14 14 14 14 -140 568 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019