Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
2N7002VAC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
CPC3720C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 22000 22000 22000 22000 22000 0.13 1.6 SOT-89
CPC5602 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 8000 8000 8000 8000 8000 0.13 1.6 SOT-223-4
CPC3730C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 30000 30000 30000 30000 30000 0.14 1.6 SOT-89
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC3710C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 10000 10000 10000 10000 10000 0.22 1.6 SOT-89
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019