Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSZ042N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 40 69 SON-8
IPB057N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.9 45 83 TO-263-3
IPD053N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 5.3 45 83 TO-252
IPP060N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 6 45 83 SuperSO8
IPP040N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 80 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4 80 107 SuperSO8
IPD025N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 90 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.5 90 167 TO-252
BTF3050TE Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты Infineon Technologies MOSFET
N 1 5 - - - 100 - 3 - TO-252-5
FSEZ1307 ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- 1 700 - - - - 20000 0.5 0.66 SOP-7
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019