Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTK170P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 12 12 12 12 12 -170 890 TO-264
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
IXTX210P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 -210 1040 PLUS247
IXTK210P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 -210 1040 TO-264
NTE4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?89 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 490 - - 260 - -760 301 SC?89
NTA4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 490 - - 260 - -760 301 SC75
SiC779 Интегральная схема DrMOS с рабочим током 40 А в конфигурации полу-мост Vishay MOSFET
Драйверы IGBT/MOSFET
N 1 - - - - - - - 25 -
Si1016X Complementary N- and P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 20 - - - - - - 0.25 SC89-6
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019