Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TSM20N50CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - TO-220
FDM15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
TSM20N50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - ITO-220AB
FMD15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
FDM47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
FMD47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
IXTD110N25T-8W Trench Gate Power MOSFET Die IXYS MOSFET
N 1 250 - - - - 24 110 - Die
IXKF40N60SCD1 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 60 60 60 60 60 41 - ISOPLUS_i4
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019