Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
TSM20N50CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 300 | 18 | - |
TO-220 |
|
FDM15-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 15 | - |
|
|
TSM20N50CI | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 300 | 18 | - |
|
|
FMD15-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 15 | - |
|
|
FDM47-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | - |
|
|
FMD47-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | - |
|
|
IXTD110N25T-8W | Trench Gate Power MOSFET Die | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 24 | 110 | - |
|
|
IXKF40N60SCD1 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 41 | - |
|