Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTX17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 PLUS247
IXTP1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-220
IXFT16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-268
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXTA1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-263
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
IXTP1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-220
IXFA6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-263
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
STFW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 1100 2.5 0 TO-3PF
STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 1800 8 320 TO-247
STFV3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220FH STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 1100 2.5 30 TO-220FH
STW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 6000 2.5 140 TO-247
STP3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1500 - - - - 1100 2.5 140 TO-220
IXTH6N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 3500 3500 3500 3500 3500 6 540 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники