Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTU1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-251
IXTP1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-220
IXTA1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-263
IXTP1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-220
IXTY1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-252
IXTA1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-263
IXTP05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-220
IXFP05N100M N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTY05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-252
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
IXTA05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-263
IXTA08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-263
IXTP08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-220
IXTP1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-220
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
IXTY08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-252
IXTP08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-263
CPC3720C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 22000 22000 22000 22000 22000 0.13 1.6 SOT-89




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019