Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 80 45 270 HiP-247
IXTY02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-252
IXFH12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 543 TO-247
IXTH12N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 500 TO-247AD
IXFR16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1040 1040 1040 1040 1040 9 230 ISOPLUS247
IXTT6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-268
IXFP3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXTH6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-247AD
IXFA3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTH3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 150 TO-247
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXFN22N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 550 550 550 550 550 25 625 SOT-227 B
IXTA3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXFK20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 TO-264AA
SCT10N120 Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 690 12 150 HiP-247
IXTP2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-220
IXFX20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 PLUS247
IXTH2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-247
IXFN20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019