Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STB5NK50Z N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 1220 4.4 70 D2-PAK
I2PAK
IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - 22 - 17.5 - 8.3 2 TSOP-6
IRFBC30PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 3.6 74 TO-220AB
STP20NM60 N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 192 TO-220
IXTN62N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 62 800 SOT-227 B
IXFK35N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 150 150 150 150 150 35 416 TO-264AA
SiE820DF N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 5.3 2.9 - 50 104 PolarPAK
2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 13500 0.115 0.2 SOT-323
NTB30N06L Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - - 30 88.2 D2-PAK
PHB160NQ08T N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 75 - - - - 4.8 75 300 D2-PAK
IXTQ36N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 300 110 110 110 110 110 36 300 TO-3P
IRFB260N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 40 56 380 TO-220AB
FQPF17N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 210 9.5 56 TO-220F
STF7NM50N N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 700 5 20 TO-220FP
IXFT320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-268
STS7NF60L N-CHANNEL 60V - 0.017 W - 7.5A SO-8 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 17 7.5 2.5 SOIC-8
LKK47-06C5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 2 600 45 45 45 45 45 47 278 ISOPLUS264 - 5
IXTM24N50 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 230 230 230 230 230 24 300 TO-204AE
HUFA76407D3S N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 107 77 12 38 TO-252 AA
STP4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019