Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
MAX15024B 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
MAX15024A 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
TSM20N50CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - TO-220
FDM15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
TSM20N50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - ITO-220AB
FMD15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
FDM47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
FMD47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
IXTD110N25T-8W Trench Gate Power MOSFET Die IXYS MOSFET
N 1 250 - - - - 24 110 - Die
IXKF40N60SCD1 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 60 60 60 60 60 41 - ISOPLUS_i4
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
NTK3139P Power MOSFET ?20 V, ?780 mA, Single P?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 700 - - 380 - -0.78 -0.45 SOT-723
NTK3142P Small Signal MOSFET ?20 V, ?280 mA, P?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 6100 - - 2900 - -0.26 -0.4 SOT-723
NTZS3151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?950 mA, P?Channel SOT?563 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 195 - - 120 - -0.86 -0.17 SOT-563
STFW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1100 2.5 0 TO-3PF
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
STP8NM60FP N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 0 TO-220FP
ZVN2120G SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 200 - - - - 10000 0.32 0.002 SOT-223-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019