Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
Si7983DP Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 20 - 16 14 - 7.7 1.4 PowerPAK_SO-8
Si7220DN Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - 61 48 3.4 1.3 PowerPAK_1212-8
IRF7313 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 46 29 6.5 2 SOIC-8
DMP3098LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -30 - - - 98 56 -4.4 1.8 SOP-8L
Si5938DU Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 455 - 37 32 - 6 8.3 PowerPAK_ChipFET
FDMQ86530L Счетверенный N-канальный PowerTrench® MOSFET-транзистор на 60 В, 8 А, серии GreenBridge™ Fairchild Semiconductor MOSFET
N 4 60 - - - 25 17.5 8 22 MLP 4.5x5
19MT050XF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 4 500 - - - - 210 31 1140 MTP
powerSTEP01 Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI STMicroelectronics MOSFET
N 8 - - - - - 21 10 - VFQFPN-8
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019