Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
NTR4171P Power MOSFET ?30 V, ?3.5 A, Single P?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 60 50 -2.2 0.48 SOT-23-3
NTTS2P02R2 Power MOSFET ?2.4 Amps, ?20 Volts Single P?Channel Micro8 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - 100 70 - -2.4 0.78 Micro 8
SiA811DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
P 1 20 153 - 109 78 - 4.5 6.5 PowerPAK SC70-6
FQPF15P12 120V P-Channel QFET® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -120 - - - - 200 -15 41 TO-220F
TSM4459CS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -17 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 9.5 5.2 -17 2.5 SOP-8
IPI80P03P4L-07 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 8.3 5.9 -80 88 TO-262
IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 -30 - - - 66 40 -5.8 2 TSOP-6
ZXMP2120E5 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 28000 -0.122 0.75 SOT-23-5
Si3459BDV P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 240 180 2.9 3.3 TSOP-6
IRF7404 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 60 40 - 6.7 2.5 SOIC-8
IRF9530 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 300 12 88 TO-220AB
NTGD1100L Power MOSFET 8 V, ±3.3 A, Load Switch with Level?Shift, P?Channel, TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
P 2 8 80 - - 40 - 3.3 0.83 TSOP-6
Si8445DB P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 97 - 82 70 - 9.8 11.4 Micro Foot
IRF7233 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 12 - - - 20 - 9.5 2.5 SOIC-8
IRFI9Z14G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - - 500 5.3 27 TO-220F
DMP2066LSN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 29 - -4.6 1.25 SC-59
Si1033X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 15000 - 12000 8000 - 0.15 0.25 SC89-6
IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247AD
IRF7342 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 55 - - - 170 105 3.4 2 SOIC-8
ZXM64P035L3 35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -35 - - - 105 75 -12 20 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019