Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTY1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-252 |
| NTMFS4847N | Power MOSFET 30 V, 85 A, Single N-Channel, SO-8 FL |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5 | 3.2 | 18 | 2.21 |
|
| IRF540ZS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 26.5 | 36 | 92 |
D2-PAK |
| IXFT24N90P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 420 | 420 | 420 | 420 | 420 | 24 | 660 |
|
| FDD8770 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 4 | 3.3 | 35 | 115 |
D-PAK TO-252 |
| STP10NM65N | N-channel 650 V, 0.43 ?, 9 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 430 | 9 | 90 |
TO-220 |
| IXFQ12N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 850 | 850 | 850 | 850 | 850 | 12 | 360 |
|
| FDMC7672 | N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 16.9 А, 5.7 мОм |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 7 | 5.7 | 20 | 31 |
|
| IRLL2705 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 65 | 40 | 3.8 | 2.1 |
SOT-223-4 |
| STD45NF75 | N-channel 75V - 0.018? - 40A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 18 | 40 | 100 |
D-PAK |
| TSM5NB50CP | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1500 | 5 | 54 |
TO-252 |
| FDB16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 70 | - | - | - | - | 13 | 58 | 135 |
|
| STW24NM65N | N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 160 | 19 | 160 |
|
| IRFP244PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 280 | 15 | 150 |
TO-247AC |
| Si2308BDS | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 160 | 130 | 2.3 | 1.66 |
SOT-23-3 |
| TK12D60U | Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 360 | 12 | 144 |
|
| IRFS4227PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 22 | 62 | 330 |
D2-PAK TO-262 |
| STK32N4LLH5 | N-channel 40 V, 0.0017 ?, 32 A, PolarPAK® STripFET™ V Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2.2 | 1.7 | 32 | 5.2 |
|
| FDS8817NZ | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 15A, 7.0m? |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 7 | 5.4 | 15 | 2.5 |
SOIC-8 |
| STW21NM60N | N-channel 600 V - 0.17 ? - 17 A TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 17 | 140 |
|
