Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| LKK47-06C5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 2 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | 278 |
|
| STP9NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.85W - 7A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 850 | 7 | 125 |
TO-220 |
| FDS8984 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 24 | 19 | 7 | 1.6 |
SOIC-8 |
| IXFH30N60Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | 30 | 500 |
|
| IRF2804S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
D2-PAK |
| ZXMN2F30FH | 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 45 | - | 4.9 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| IRFSL9N60A | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 750 | 9.2 | 170 |
TO-262 |
| STD2HNK60Z | N-channel 600V - 4.4? - 2A - DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 4400 | 2 | 45 |
D-PAK |
| FDS6984AS | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 32 | 26 | 5.5 | 1.6 |
SOIC-8 |
| BSC010N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.3 | 100 | 139 |
|
| IRL1004L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 9 | 6.5 | 130 | 150 |
TO-262 |
| STU90N4F3 | N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, IPAK STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.4 | 80 | 110 |
|
| IPI320N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28 | 34 | 136 |
TO-262 |
| IXFV22N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 22 | 350 |
|
| IRFD420 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 3000 | 0.37 | 1 |
HEXDIP |
| Si6410DQ | 30-V (D-S) Dual |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 15 | 11 | 7.8 | 1.5 |
TSSOP-8 |
| STF30NM60N | N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 100 | 25 | 40 |
|
| FDI3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 7.5 | 12 | 310 |
|
| IXTA50N28T | N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 280 | 66 | 66 | 66 | 66 | 66 | 50 | 340 |
|
| IRFL4315 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 185 | 2.6 | 2.8 |
SOT-223-4 |
