Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
FDM15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
 N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
FDM47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
 N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
FMD15-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
 N 1 600 165 165 165 165 165 15 - ISOPLUS_i4
FMD40-06KC Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 60 60 60 60 60 38 280 ISOPLUS_i4
FMD47-06KC5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) IXYS MOSFET
 N 1 600 45 45 45 45 45 47 - ISOPLUS_i4
IRFP250 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 85 85 85 85 85 30 190 TO-247
IRFP254 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 140 140 140 140 140 23 190 TO-247
IRFP260 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 55 55 55 55 55 45 280 TO-247
IRFP264 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 75 75 75 75 75 38 280 TO-247
IRFP360 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 400 200 200 200 200 200 23 300 TO-247
IRFP450 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 14 190 TO-247
IRFP460 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 270 270 270 270 270 20 260 TO-247
IRFP470 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 230 230 230 230 230 24 300 TO-247
IXFA102N15T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 18 18 18 18 18 102 455 TO-263
IXFA10N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 10 200 TO-263
IXFA10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-263
IXFA110N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 110 480 TO-263
IXFA12N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-263
IXFA130N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 9.1 9.1 9.1 9.1 9.1 130 360 TO-263
IXFA130N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 9.1 9.1 9.1 9.1 9.1 130 360 TO-263
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники