Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STQ1NK60ZR-AP N-channel 600V - 13? - 0.8A - TO-92 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.3 3 TO-92
FDMC86261P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -150 - - - - 160 -9 40 MLP 3.3x3.3
IRF1310NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 36 42 3.8 D2-PAK
PHP191NQ06LT N-channel Trenchmos (tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 3.5 3.1 75 300 TO-220AB
FQU9N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 330 7.4 55 I-PAK
PH2925U N-channel TrenchMOS ultra low level FET NXP MOSFET
N 1 25 - - 3.2 2.3 - 100 62.5 SOT-669
SiE832DF N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 5.8 4.6 50 104 PolarPAK
IRF6718 N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L2 package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 25 - - - 1 0.5 61 4.3 DirectFET-Large Can
NTMFS4821N Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N-Channel, SO-8 FL ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 8.6 5.3 13.8 2.4 SO-8 FL
FDG6335N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 180 - 0.7 0.3 SC70-6
IRF6215 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 150 - - - - 290 13 110 TO-220AB
STP4NK60Z N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 176 4 70 TO-220
IRFPS30N60K HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 160 30 450 TO-274AA
NTB5411N Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 8.4 80 166 D2-PAK
FDP047N08 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 3.7 164 268 TO-220
IRL3714 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 28 20 36 43 TO-220AB
STD16NF25 N-channel 250V - 0.195? - 13A - DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 195 13 90 D-PAK
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
IRFBC30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 3.6 74 TO-220AB
STW30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019