Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFX420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-247
IXFK420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-264
IXTH420N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2 2 2 2 2 420 935 TO-247
IXFN420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 420 1070 SOT-227
IRF1324S-7PPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 24 - - - - 800 429 300 D2-PAK
IXTH440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-247
IXTT440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-268
IXFZ520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 465 600 DE-475
IXFN520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 480 940 SOT-227
IXTT500N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 1000 TO-268
IXTH500N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 1000 TO-247
MMIX1F520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 830 SMPD-X
BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 100 - - - 5000 - 520 6.25 SOT-223-4
IXFX520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 520 1250 PLUS247
IXFK520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 520 1250 TO-264
IXTN550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 550 940 SOT-227
IXTK550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 TO-264
IXTX550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 PLUS247
BSP122 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 200 - - 3000 - 1700 550 1.5 SOT-223-4
IXTZ550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1 1 1 1 1 550 600 DE-475




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019