Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFX420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXFK420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXTH420N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 420 | 935 |
|
|
IXFN420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 420 | 1070 |
SOT-227 |
|
IRF1324S-7PPBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | - | 800 | 429 | 300 |
D2-PAK |
|
IXTH440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IXTT440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IXFZ520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 465 | 600 |
|
|
IXFN520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 480 | 940 |
SOT-227 |
|
IXTT500N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 1000 |
|
|
IXTH500N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 1000 |
|
|
MMIX1F520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 830 |
|
|
BSP110 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 5000 | - | 520 | 6.25 |
SOT-223-4 |
|
IXFX520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 520 | 1250 |
|
|
IXFK520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 2.2 | 520 | 1250 |
|
|
IXTN550N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 550 | 940 |
SOT-227 |
|
IXTK550N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 550 | 1250 |
|
|
IXTX550N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 550 | 1250 |
|
|
BSP122 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | 3000 | - | 1700 | 550 | 1.5 |
SOT-223-4 |
|
IXTZ550N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 550 | 600 |
|