Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSB028N06NN3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 90 78 WDSON-2
BSB014N04LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 2 1.4 180 89 WDSON-2
BSB012N03LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 1.8 1.2 180 89 WDSON-2
BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3500 0.25 0.3 SOT-23-3
BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.4 0.625 TO-92
BS250P P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 14000 -0.23 0.7 TO-92
BS250KL P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 5500 3100 0.27 0.8 TO-92
BS250F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 9000 -0.09 0.33 SOT-23-3
BS170 Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N?Channel TO?92 (TO?226) ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1800 0.5 0.35 TO-92
BS108 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - - 0.25 0.35 TO-92
BS107P N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 200 - - - - - 0.12 0.5 TO-92
BS107A Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 4500 0.25 0.35 TO-92
BS107 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 28000 0.25 0.35 TO-92
AUIRFN8403 N-канальный силовой HEXFET MOSFET-транзистор в автомобильном исполнении, 40 В, корпус PQFN 5 x 6 E International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 3.3 123 4.3 PQFN 5x6
2N7228U N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 500 - - - - 415 12 150 U-PKG
2N7228 N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 500 - - - - 415 12 150 TO-254AA
2N7227U N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 400 - - - - 315 14 150 U-PKG
2N7227 N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 400 - - - - 315 14 150 TO-254AA
2N7225U N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 200 - - - - 100 27.4 150 U-PKG
2N7225 N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 200 - - - - 100 27.4 150 TO-254AA




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019