Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
FDBL0065N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - - 0.65 300 429 H-PSOF
IXTA300N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 300 480 TO-263
NTMFS5C410NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - 1.3 0.9 302 139 DFN-5
IXFN360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 4 4 4 4 4 310 1070 SOT-227
NVMFS5C410NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - 1.3 0.9 315 167 DFN-5
IXFT320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-268
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
2N7002KA N-channel TrenchMOS FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 3800 2800 320 0.83 SOT-23-3
IXTN320N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 320 680 SOT-227
IXFK320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-264
IXFX320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-247
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
IRF2804S-7P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 1.6 320 330 D2-PAK
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 - - 2400 2300 - 335 0.83 SOT-23-3
NTMFS5C404NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В ON Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - 1 0.75 339 167 DFN-5
IXFN340N06 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 60 3 3 3 3 3 340 700 SOT-227 B
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 70 - - - - 4 340 700 SOT-227
IXFH340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-247
IXFT340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-268
IXFN340N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 4 4 4 4 4 340 700 SOT-227
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники