Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-263
FQU1N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 15500 1 2.5 I-PAK
FQD1N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 15500 1 2.5 D-PAK
ZVN0124A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 240 - - - - 16000 0.16 0.7 TO-92
IXTP05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-220
IXFP05N100M N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
BSP230 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 300 - - - - 17000 0.21 1.5 SOT-223-4
IXTY05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-252
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
IXTA05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-263
ZVP3310A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -100 - - - - 20000 -0.14 0.625 TO-92
FSEZ1307 ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- 1 700 - - - - 20000 0.5 0.66 SOP-7
ZVP3310F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -100 - - - - 20000 0.075 0.33 SOT-23-3
IXTA08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-263
IXTP08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-220
IXTP1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-220
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
IXTY08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-252




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019