Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IPB80P03P4L-07 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 8 5.6 -80 88 TO-263-3
IPP80P03P4-05 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - - 4.1 -80 137 TO-220
IPI80P03P4-05 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - - 4.1 -80 137 TO-262
IPB80P03P4-05 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - - 3.8 -80 137 TO-263-3
TJ80S04M3L Силовой P-канальный MOSFET-транзистор Toshiba MOSFET
P 1 -40 - - - - 5.2 -80 100 DPAK-3
IPD80P03P4L-07 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 8.7 5.6 -80 88 TO-252
IXTH76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-247
IXTP76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-220
IXTA76P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -76 298 TO-263
IXTT68P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 55 55 55 55 55 -68 568 TO-268
IXTH68P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 55 55 55 55 55 -68 568 TO-247
Si7145DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 -30 - - - 3 2.1 -60 104 PowerPAK_SO-8
TJ60S06M3L Силовой P-канальный MOSFET-транзистор Toshiba MOSFET
P 1 -60 - - - - 11.2 -60 100 DPAK-3
Si7137DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 -20 - - 3.1 2 1.6 -60 105 PowerPAK_SO-8
TJ60S04M3L Силовой P-канальный MOSFET-транзистор Toshiba MOSFET
P 1 -40 - - - - 6.3 -60 90 DPAK-3
CSD25401Q3 P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs Texas Instruments MOSFET
P 1 -20 - - - 8.7 - -60 2.8 QFN-8
IXTR90P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 27 27 27 27 27 -57 190 ISOPLUS247
IXTR90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 48 48 48 48 48 -53 312 ISOPLUS247
IXTQ52P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 50 50 50 50 50 -52 300 TO-3P
IXTP52P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 50 50 50 50 50 -52 300 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019