Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 - - 2400 2300 - 335 0.83 SOT-23-3
BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
BSH114 N-channel enhancement mode field effect transistor NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 400 0.85 0.83 SOT-23-3
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
BSH201 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 60 - - - 2700 2100 0.3 0.417 SOT-23-3
BSH202 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 30 - - - 890 630 0.52 0.417 SOT-23-3
BSH203 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 30 1100 - 920 660 - 0.47 0.417 SOT-23-3
BSH205 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 12 420 - 320 180 - 0.75 0.417 SOT-23-3
BSH207 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 12 140 - 117 80 - 1.52 0.417 SC74-6
BSN20 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 50 - - - - 2800 173 0.83 SOT-23-3
BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 0.3 1 TO-92
BSP030 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 30 - - - 30 20 10 8.3 SOT-223-4
BSP100 N-channel enhancement mode TrenchMOS (tm) transistor NXP MOSFET
N 1 30 - - - 200 100 6 8.3 SOT-223-4
BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 100 - - - 5000 - 520 6.25 SOT-223-4
BSP122 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 200 - - 3000 - 1700 550 1.5 SOT-223-4
BSP126 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 250 - - - - 2800 375 1.5 SOT-223-4
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
BSP220 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 200 - - - - 12000 0.225 1.5 SOT-223-4
BSP225 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 250 - - - - 15000 0.225 1.5 SOT-223-4
BSP230 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 300 - - - - 17000 0.21 1.5 SOT-223-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019